Транзисторы

Количество:
Производитель:
Код для поиска
Производитель
Срок доставки
Заказать
BLF1043
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF1046
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF200RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF-200RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFLS-200RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF-45
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFL(S)-260PRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFL-260PRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFLS-260PRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFL-40BRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFLS-135RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFLS-160RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLFS-45
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G21-10G
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6H10L(S)-160
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6H10L-160
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6H10LS-160
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G10L(S)-250
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G10L-250
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G10LS-250
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G10L-160
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G10LS-160
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G10LS-160V
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G10LS-270
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G10LS-270GV
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G10LS-270V
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLM-30
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLM-30G
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLP7G07S-140P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLP7G22-05
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLP7G22-10
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLP8G10S-45P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLP8G10S-45PG
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 0,8 1,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G15L(S)-40RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G15L-40RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G15LS-40RN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G15L-250PBRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G15L-40BRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G15LS-250PBRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G15LS-200
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции