Транзисторы

Количество:
Производитель:
Код для поиска
Производитель
Срок доставки
Заказать
BLF7G15LS-300P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,3 1,7 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20(LS)-110
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20-110
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20LS-110
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20(LS)-75
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20-75
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20LS-75
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20(S)-45
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20-45
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20S-45
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20-180PN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20-230PRN
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G20LS-140
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G22L-40P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF6G22LS-40P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20L(S)-200
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20L-200
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20LS-200
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20L(S)-250P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20L-250P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20LS-250P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20L(S)-90P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20L-90P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20LS-90P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF7G20LS-140P
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G19LS-170BV
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G20LS-200V
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G20LS-220
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G20LS-260A
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G20LS-400PGV
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF8G20LS-400PV
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 1,8 2,0 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLD6G21L(S)-50
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLD6G21L-50
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLD6G21LS-50
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLD6G22L(S)-50
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLD6G22L-50
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLD6G22LS-50
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF2043F
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF3G21-30
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
BLF3G21-6
NXP Semiconductors
3-4 недели

Заказать
Описание: транзистор высокочастотный 2,0 2,2 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции