Транзисторы

Количество:
Производитель:
Код для поиска
Производитель
Срок доставки
Заказать
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высокочастотный 3,5 3,8 ГГц, большой мощности (LDMOS), базовые станции
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: транзистор высоковольтный высокочастотный 01300 МГц (ВЧ/ОВЧ/ISM), большой мощности (LDMOS)