Схема

Тенденция к использованию силовых систем, основанных на IGBT модулях, прослеживается с 2009 года. Однако отсутствие на отечественном рынке драйверных схем по управлению затворами IGBT препятствует её дальнейшему распространению. Эта проблема особенно актуальна для транзисторов, мощность которых превышает 200 В, поскольку установленная на них электроника часто загорает из-за перенапряжения.

На российский «электронный» рынок схемы по управлению IGBT-транзисторами поставляет ряд фирм. Внимания заслуживает компания Mitsubishi Electric. Её изделия содержат устройства формирования сигнальных команд и набор необходимых при работе с защитным транзисторами деталей:

1. DC/CD преобразователь, создающий питающие напряжение для входных каскадов;
2. Наружный выходной приёмник, формирующий сигналы управления затворами с требуемой силой фронтов;
3. Диоды и стабилитроны;
4. Входную головку;
5. Полумостовой переходник, пишущий диаграммы анализа;
6. Развязанные оптические сигналы состояния контролируемого транзистора;
7. Сигнализатор гальванической развязкой.

Преимущества продукции Mitsubishi Electric

Силовые схемы Mitsubishi Electric также отличает наличие плат со множеством разъёмов, через которые к системе подключаются транзисторы. Потребитель сам настраивает перечень элементов, работающий совместно блоком питания, и это ещё один плюс, поскольку разным изделиям соответствуют свои параметрические и характеристические требования.

Гибридные схемы источников питания драйверов IGBT модулей продаются полностью завершёнными. Их не нужно дополнительно настраивать согласованную работу потенциальных и токовых сигналов. Переключение между управляемыми транзисторами происходит автоматически и быстро с минимальной потерей электроэнергии. Толщина гальванической изоляции – 12 мм, поэтому IGBT драйвера можно применять на высоковольтных объектах.

Гибридная схема драйверов для биполярных транзисторных модулей гарантирует баланс уровня тока и напряжения при загрузке до 1700 Вт и защиту в случае падения уровня напряжения на завтраках транзистора.

Устойчивость к помехам достигается путём использования генератора отрицательного давления. Параллельно могут соединяться 3-4 транзистора без паразитического воздействия друг на друга.